Photodioden in der Produktübersicht
photo diodes in TO packages

In Ergänzung zu unserem LED Sortiment im UV, sichtbaren und infraroten Spektralbereich bietet die EPIGAP Optronic GmbH eine große Auswahl an Photodioden, angefangen bei 150 nm im ultravioletten bis hin zu 2600 nm im infraroten Bereich.

Dazu gehören großflächige InGaAs Photodioden mit bis zu 3 mm Durchmesser der aktiven Sensorfläche. Die InGaAs Photodioden verfügen über niedrige Dunkelströme und eine hohe Empfindlichkeit. Neben den Standardwellenlängen von 800 nm bis 1700 nm -  als Chip oder im hermetischen TO-Gehäuse -  liefern wir die extended InGaAs Photodioden mit einer erweiterten Empfindlichkeit im hohen Infrarotbereich von bis zu 2600 nm.

Die EPIGAP verfügt über ein breites Angebot an Photodioden auch im UV Bereich, basierend auf Materialien wie GaN und SiC.

Email 2 EPIGAP   Wir freuen uns auf Ihre Anfragen!

Photodiodes
ProductMax. sensitivityPackageActive areaResponsivityDark current
EOPD-280-0-0.3-2-1 280 nm TO-39 (TO-5) 0.055 mm2  0.13 A/W 1 fA
EOPD-365-0-1.4 365 nm TO-46 1.2 mm2  0.07 A/W 5 pA
EOPD-150-0-2.5 440 nm TO-39 (TO-5) 4.8 mm2  0.13 A/W 15 pA
EOPD-150-0-3.6 440 nm TO-39 (TO-5) 10.9 mm2  0.13 A/W 20 pA
EOPD-440-0-2.5 440 nm TO-39 (TO-5) 4.8 mm2  0.13 A/W 15 pA
EOPD-660-5-0.5 660 nm 5 mm 0.17 mm2  0.42 A/W 20 nA
EOPD-660-5-0.9 660 nm 5 mm 0.62 mm2  0.42 A/W 40 nA
EOPD-1300-5-0.3 1600 nm 5 mm Ø 300 μm  0.9 A/W 15 pA
Photodiode chips
ProductMax. sensitivityPackageActive areaResponsivityDark current
EOPC-1300-0.3 1600 nm bare die Ø 300 µm  1 A/W 0.3 nA
EOPC-1300-1.0 1600 nm bare die Ø 1000 µm  0.95 A/W 2 nA